(相關資料圖)

（全球 TMT2023 年 5 月 18 日訊）三星電子宣布其采用 12 納米級工藝技術的 16Gb DDR5 DRAM 已開始量產。與上一代產品相比，三星最新的 12 納米級 DDR5 DRAM 功耗降低了 23%，晶圓生產率提高了 20%。出色的能效表現，使它能夠成為全球 IT 企業的服務器和數據中心節能減排的優秀解決方案。

三星 12 納米級工藝技術的開發基于一種新型高 κ 材料，這種新型材料有助于提高電池電容。高電容使數據信號出現明顯的電位差，從而更易于準確地區分。同時，三星在降低工作電壓和噪聲方面的成果，也讓此解決方案更加適用于客戶公司的需求。三星 12 納米級 DDR5 DRAM 最高可支持 7.2 吉比特 / 秒（Gbps）的速度，相當于每秒可處理大約兩部 30GB 的超高清電影。三星為滿足客戶需求將持續擴大 12 納米級 DRAM 的產品陣容，以支持越來越多的應用，助力數據中心、人工智能在內的下一代計算。三星在去年 12 月完成了 16Gb DDR5 DRAM 與 AMD 的兼容性評估。