記者從中國科學院合肥物質科學研究院了解到，該院強磁場科學中心盛志高課題組瞄準太赫茲核心元器件這一前沿研究方向，與該院固體物理研究所、中國科學技術大學組成聯合攻關團隊，研發出一種新型太赫茲源。相關研究成果日前發表在《科學進展》上，并申請了發明專利。

由于其優越的波譜性能，太赫茲相關技術在通訊、安檢、傳感、國家安全等領域有著廣泛的應用前景，被稱為“改變未來世界的十大技術之一”。其廣泛的工程應用依賴于多樣的太赫茲元器件。相對于成熟的微波與光學技術，太赫茲源、太赫茲調制器、太赫茲探測器等太赫茲核心元器件的開發方興未艾。

物質的基本粒子可以分成兩種，一種自旋是半整數，被稱為費米子(比如電子)，另一種自旋是整數，被稱為玻色子(比如聲子)。目前常見的太赫茲源(如光電導天線、光整流等)均是基于費米子的輻射源，一般發射寬帶太赫茲波。相對而言，單頻可調諧的太赫茲源有著更為廣泛的應用前景，亟待開發。

聯合攻關團隊采用理論與實驗相結合的方法，選擇二維范德瓦爾斯磁性半導體晶體作為基材，創新性地挖掘其范德瓦爾斯層間呼吸聲子模(玻色子)的優異特性，研發出了頻率為~0.9 THz的單頻太赫茲輻射。最為重要的是：一方面，得益于其玻色子特性，該太赫茲輻射源具有“零閾值”，高品質因數和高輻射效率等優點;另一方面，由于二維磁性半導體晶體中存在強自旋晶格耦合，磁場可以對該聲子單頻太赫茲輻射有效地進行調控。

這一聲子單頻太赫茲源的成功研發，不僅有助于低維磁性材料中聲子極化子的理解，而且為新型太赫茲源的實現提供了全新策略。